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Typical Performance
700
1,000
600
500
400
V GS = 0/20V
R G = 7.5 ? Tot
V DD = 800V
L = 856 μ H
FWD: C4D10120
T A = 25 o C
E TOT,SW
900
800
700
600
E TOT,SW
500
E ON
300
400
200
100
0
E OFF
E ON
300
200
100
0
V GS = 0/20V
R G = 11.8 ? Tot
V DD = 800V
L = 856 μ H
FWD: C4D10120
I D = 20 A
E OFF
0
5
10
15
20
0
25
50
75
100
125
150
Peak Drain Current (A)
Figure 18. Clamped Inductive Switching Energy vs.
Drain Current (Fig. 20)
+
800V
856μH
T J ( o C)
Figure 19. Clamped Inductive Switching Energy vs.
Junction Temperature (Fig 20)
C4D10120D
10A, 1200V
SiC Schottky
-
V DS
42.3μf
CMF20120D
Figure 20. Clamped Inductive Switching Waveform Test
Circuit
90%
10%
V GS
t d(on)v
t fv
t d(off)v
t rv
t on
t off
Figure 21. Switching Test Waveforms for Transition times
6
CMF20120D Rev. D
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